PHD55N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHD55N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT428

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHD55N03LT

PHD55N03LT Datasheet (PDF)

..1. Size:109K philips
phb55n03lt phd55n03lt php55n03lt 6.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 18 m (VGS

0.1. Size:110K philips
php55n03lta phb55n03lta phd55n03lta.pdf

PHP55N03LTA;PHB55N03LTA;PHD55N03LTAN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 2 August 2001 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB)PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK)PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK).2. Features Low

6.1. Size:262K inchange semiconductor
phd55n03.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor PHD55N03FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

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Liste

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