PHD55N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHD55N03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 103 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOT428
Аналог (замена) для PHD55N03LT
PHD55N03LT Datasheet (PDF)
phb55n03lt phd55n03lt php55n03lt 6.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 18 m (VGS
php55n03lta phb55n03lta phd55n03lta.pdf
PHP55N03LTA;PHB55N03LTA;PHD55N03LTAN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 2 August 2001 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB)PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK)PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK).2. Features Low
phd55n03.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor PHD55N03FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta
Другие MOSFET... PHD10N10E , PHD12N10E , PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , 2N60 , PHD69N03LT , PHD6N10E , PHP10N10E , PHP10N60E , PHP11N50E , PHP125N06LT , PHP12N10E , PHP130N03LT .
