NX1029X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NX1029X  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: SOT666

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NX1029X datasheet

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NX1029X

NX1029X 60 / 50 V, 330 / 170 mA N/P-channel Trench MOSFET Rev. 1 12 August 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatibl

Otros transistores... NVTFS4C13N, NVTFS4C25N, NVTFS5124PL, NVTJD4001N, NVTR01P02L, NVTR0202PL, NVTR4502P, NVTR4503N, P60NF06, NX2020N2, NX2020P1, NX3020NAK, NX7002AK, NX7002AKS, NX7002AKW, NX7002BK, NX7002BKM