NX1029X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NX1029X  📄📄 

Маркировка: AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.26 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: SOT666

Аналог (замена) для NX1029X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX1029X даташит

 ..1. Size:396K  nxp
 nx1029x.pdf pdf_icon

NX1029X

NX1029X 60 / 50 V, 330 / 170 mA N/P-channel Trench MOSFET Rev. 1 12 August 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatibl

Другие IGBT... NVTFS4C13N, NVTFS4C25N, NVTFS5124PL, NVTJD4001N, NVTR01P02L, NVTR0202PL, NVTR4502P, NVTR4503N, P60NF06, NX2020N2, NX2020P1, NX3020NAK, NX7002AK, NX7002AKS, NX7002AKW, NX7002BK, NX7002BKM