NX1029X - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NX1029X
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: SOT666
Аналог (замена) для NX1029X
NX1029X Datasheet (PDF)
nx1029x.pdf

NX1029X60 / 50 V, 330 / 170 mA N/P-channel Trench MOSFETRev. 1 12 August 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatibl
Другие MOSFET... NVTFS4C13N , NVTFS4C25N , NVTFS5124PL , NVTJD4001N , NVTR01P02L , NVTR0202PL , NVTR4502P , NVTR4503N , AO3401 , NX2020N2 , NX2020P1 , NX3020NAK , NX7002AK , NX7002AKS , NX7002AKW , NX7002BK , NX7002BKM .
History: 2SK2399 | LSD60R1K4HT | NX7002AK
History: 2SK2399 | LSD60R1K4HT | NX7002AK



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor