NX2020P1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NX2020P1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: DFN2020MD-6

 Búsqueda de reemplazo de NX2020P1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NX2020P1 datasheet

 ..1. Size:265K  nxp
 nx2020p1.pdf pdf_icon

NX2020P1

NX2020P1 30 V, single P-channel Trench MOSFET 22 January 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plastic p

 8.1. Size:273K  nxp
 nx2020n2.pdf pdf_icon

NX2020P1

NX2020N2 30 V, N-channel Trench MOSFET 20 January 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Small and leadless ultra

Otros transistores... NVTFS5124PL, NVTJD4001N, NVTR01P02L, NVTR0202PL, NVTR4502P, NVTR4503N, NX1029X, NX2020N2, AO3400A, NX3020NAK, NX7002AK, NX7002AKS, NX7002AKW, NX7002BK, NX7002BKM, NX7002BKMB, NX7002BKS