NX2020P1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NX2020P1
   Código: 2E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020MD-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NX2020P1

NX2020P1 Datasheet (PDF)

..1. Size:265K nxp
nx2020p1.pdf

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8.1. Size:273K nxp
nx2020n2.pdf

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History: FDS9435A

Liste

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