Справочник MOSFET. NX2020P1

 

NX2020P1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NX2020P1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для NX2020P1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX2020P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  nxp
 nx2020p1.pdf pdf_icon

NX2020P1

NX2020P130 V, single P-channel Trench MOSFET22 January 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plastic p

 8.1. Size:273K  nxp
 nx2020n2.pdf pdf_icon

NX2020P1

NX2020N230 V, N-channel Trench MOSFET20 January 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Small and leadless ultra

Другие MOSFET... NVTFS5124PL , NVTJD4001N , NVTR01P02L , NVTR0202PL , NVTR4502P , NVTR4503N , NX1029X , NX2020N2 , RU6888R , NX3020NAK , NX7002AK , NX7002AKS , NX7002AKW , NX7002BK , NX7002BKM , NX7002BKMB , NX7002BKS .

History: DHE50N06FZC | BRCS100N06RA | STL23NM50N | HM3018SR | SFF054M | IPB120P04P4-04 | SE30100B

 

 
Back to Top

 


 
.