NX2020P1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NX2020P1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: DFN2020MD-6

Аналог (замена) для NX2020P1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX2020P1 даташит

 ..1. Size:265K  nxp
 nx2020p1.pdf pdf_icon

NX2020P1

NX2020P1 30 V, single P-channel Trench MOSFET 22 January 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plastic p

 8.1. Size:273K  nxp
 nx2020n2.pdf pdf_icon

NX2020P1

NX2020N2 30 V, N-channel Trench MOSFET 20 January 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Small and leadless ultra

Другие IGBT... NVTFS5124PL, NVTJD4001N, NVTR01P02L, NVTR0202PL, NVTR4502P, NVTR4503N, NX1029X, NX2020N2, AO3400A, NX3020NAK, NX7002AK, NX7002AKS, NX7002AKW, NX7002BK, NX7002BKM, NX7002BKMB, NX7002BKS