NX2020P1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NX2020P1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
Тип корпуса: DFN2020MD-6
Аналог (замена) для NX2020P1
NX2020P1 Datasheet (PDF)
nx2020p1.pdf

NX2020P130 V, single P-channel Trench MOSFET22 January 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plastic p
nx2020n2.pdf

NX2020N230 V, N-channel Trench MOSFET20 January 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Small and leadless ultra
Другие MOSFET... NVTFS5124PL , NVTJD4001N , NVTR01P02L , NVTR0202PL , NVTR4502P , NVTR4503N , NX1029X , NX2020N2 , RU6888R , NX3020NAK , NX7002AK , NX7002AKS , NX7002AKW , NX7002BK , NX7002BKM , NX7002BKMB , NX7002BKS .
History: LSD60R1K4HT | NX7002AK | 2SK2399
History: LSD60R1K4HT | NX7002AK | 2SK2399



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817