PHD69N03LT Todos los transistores

 

 

PHD69N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD69N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT428
 

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PHD69N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  philips
 phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf pdf_icon

PHD69N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 14 m (VGS

Otros transistores... PHD12N10E , PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , PHD55N03LT , BS170 , PHD6N10E , PHP10N10E , PHP10N60E , PHP11N50E , PHP125N06LT , PHP12N10E , PHP130N03LT , PHP18N20E .

History: 2N6758JTXV | NCEP40T35ALL | NVD6820NL | HTI2K4P15T | STF9NM50N | NVD6495NL | HSBG2103

 

 
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