PHD69N03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHD69N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOT428

Аналог (замена) для PHD69N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD69N03LT даташит

 ..1. Size:111K  philips
 phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf pdf_icon

PHD69N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 14 m (VGS

Другие IGBT... PHD12N10E, PHD2N50E, PHD2N60E, PHD3055E, PHD3N40E, PHD45N03LT, PHD50N03LT, PHD55N03LT, BS170, PHD6N10E, PHP10N10E, PHP10N60E, PHP11N50E, PHP125N06LT, PHP12N10E, PHP130N03LT, PHP18N20E