PHD69N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHD69N03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 69 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOT428
Аналог (замена) для PHD69N03LT
PHD69N03LT Datasheet (PDF)
..1. Size:111K philips
phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf
phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 14 m (VGS
Другие MOSFET... PHD12N10E , PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , PHD55N03LT , 75N75 , PHD6N10E , PHP10N10E , PHP10N60E , PHP11N50E , PHP125N06LT , PHP12N10E , PHP130N03LT , PHP18N20E .
History: PHP21N06LT
