Справочник MOSFET. PHD69N03LT

 

PHD69N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHD69N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOT428

 Аналог (замена) для PHD69N03LT

 

 

PHD69N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  philips
 phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf

PHD69N03LT PHD69N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 14 m (VGS

Другие MOSFET... PHD12N10E , PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , PHD55N03LT , 4435 , PHD6N10E , PHP10N10E , PHP10N60E , PHP11N50E , PHP125N06LT , PHP12N10E , PHP130N03LT , PHP18N20E .

 

 
Back to Top