PHD6N10E Todos los transistores

 

PHD6N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD6N10E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT428
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHD6N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  philips
 phd6n10e 1.pdf pdf_icon

PHD6N10E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHD6N10E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 Vmounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 6.3 Aenergy capability, stable blocking Ptot Total power d

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFM12N100 | MEE7292-G | TPC8058-H | IRF7306QTR | FQD20N06LE | SFP9Z14 | MXP84D7AT

 

 
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