PHD6N10E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD6N10E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm

Encapsulados: SOT428

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PHD6N10E datasheet

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PHD6N10E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHD6N10E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 V mounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 6.3 A energy capability, stable blocking Ptot Total power d

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