PHD6N10E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHD6N10E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: SOT428

Аналог (замена) для PHD6N10E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD6N10E даташит

 ..1. Size:56K  philips
 phd6n10e 1.pdf pdf_icon

PHD6N10E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHD6N10E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 V mounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 6.3 A energy capability, stable blocking Ptot Total power d

Другие IGBT... PHD2N50E, PHD2N60E, PHD3055E, PHD3N40E, PHD45N03LT, PHD50N03LT, PHD55N03LT, PHD69N03LT, 4N60, PHP10N10E, PHP10N60E, PHP11N50E, PHP125N06LT, PHP12N10E, PHP130N03LT, PHP18N20E, PHP21N06LT