Справочник MOSFET. PHD6N10E

 

PHD6N10E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD6N10E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: SOT428
 

 Аналог (замена) для PHD6N10E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD6N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  philips
 phd6n10e 1.pdf pdf_icon

PHD6N10E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHD6N10E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 Vmounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 6.3 Aenergy capability, stable blocking Ptot Total power d

Другие MOSFET... PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , PHD55N03LT , PHD69N03LT , 10N65 , PHP10N10E , PHP10N60E , PHP11N50E , PHP125N06LT , PHP12N10E , PHP130N03LT , PHP18N20E , PHP21N06LT .

History: FDS9400A | WSR60N06

 

 
Back to Top

 


 
.