OM60N10SC Todos los transistores

 

OM60N10SC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OM60N10SC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 270 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-258AA
 

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OM60N10SC Datasheet (PDF)

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OM60N10SC

OM55N10SC OM60N10SC OM75N05SC OM75N06SCOM55N10SA OM75N05SA OM75N06SALOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETSIN HERMETIC ISOLATED PACKAGE50V, 60V, And 100V Ultra Low RDS(on)Power MOSFETs In TO-254 And TO-258Isolated PackagesFEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And

 9.1. Size:61K  omnirel
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OM60N10SC

OM60N06SA OM60N05SA OM50N06STOM50N06SA OM50N05SA OM50N05STLOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETSIN HERMETIC ISOLATED PACKAGE50V And 60V Ultra Low RDS(on)Power MOSFETs In TO-257 And TO-254Isolated PackagesFEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels Ce

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History: CSD13302W | SRC60R360B | RU1Z120R | FKV460S | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03

 

 
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