OM60N10SC Todos los transistores

 

OM60N10SC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OM60N10SC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 270 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-258AA
 

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OM60N10SC datasheet

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OM60N10SC

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OM60N10SC

OM60N06SA OM60N05SA OM50N06ST OM50N06SA OM50N05SA OM50N05ST LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE 50V And 60V Ultra Low RDS(on) Power MOSFETs In TO-257 And TO-254 Isolated Packages FEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels Ce

Otros transistores... NX7002BK , NX7002BKM , NX7002BKMB , NX7002BKS , NX7002BKW , NX7002BKXB , OM6005SC , OM6027SC , EMB04N03H , OM6101ST , OM6104ST , OM6105SC , OM6106SC , P50B4EA , P50B6EA , P55NF06 , P5N50C .

 

 
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