OM60N10SC Todos los transistores

 

OM60N10SC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OM60N10SC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 270 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-258AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

OM60N10SC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  omnirel
 om60n10sc.pdf pdf_icon

OM60N10SC

OM55N10SC OM60N10SC OM75N05SC OM75N06SCOM55N10SA OM75N05SA OM75N06SALOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETSIN HERMETIC ISOLATED PACKAGE50V, 60V, And 100V Ultra Low RDS(on)Power MOSFETs In TO-254 And TO-258Isolated PackagesFEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And

 9.1. Size:61K  omnirel
 om60n06sa.pdf pdf_icon

OM60N10SC

OM60N06SA OM60N05SA OM50N06STOM50N06SA OM50N05SA OM50N05STLOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETSIN HERMETIC ISOLATED PACKAGE50V And 60V Ultra Low RDS(on)Power MOSFETs In TO-257 And TO-254Isolated PackagesFEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels Ce

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.