OM60N10SC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OM60N10SC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-258AA

Аналог (замена) для OM60N10SC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OM60N10SC даташит

 ..1. Size:56K  omnirel
 om60n10sc.pdf pdf_icon

OM60N10SC

OM55N10SC OM60N10SC OM75N05SC OM75N06SC OM55N10SA OM75N05SA OM75N06SA LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE 50V, 60V, And 100V Ultra Low RDS(on) Power MOSFETs In TO-254 And TO-258 Isolated Packages FEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And

 9.1. Size:61K  omnirel
 om60n06sa.pdf pdf_icon

OM60N10SC

OM60N06SA OM60N05SA OM50N06ST OM50N06SA OM50N05SA OM50N05ST LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE 50V And 60V Ultra Low RDS(on) Power MOSFETs In TO-257 And TO-254 Isolated Packages FEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels Ce

Другие IGBT... NX7002BK, NX7002BKM, NX7002BKMB, NX7002BKS, NX7002BKW, NX7002BKXB, OM6005SC, OM6027SC, EMB04N03H, OM6101ST, OM6104ST, OM6105SC, OM6106SC, P50B4EA, P50B6EA, P55NF06, P5N50C