OM60N10SC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OM60N10SC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-258AA
Аналог (замена) для OM60N10SC
OM60N10SC Datasheet (PDF)
om60n10sc.pdf

OM55N10SC OM60N10SC OM75N05SC OM75N06SCOM55N10SA OM75N05SA OM75N06SALOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETSIN HERMETIC ISOLATED PACKAGE50V, 60V, And 100V Ultra Low RDS(on)Power MOSFETs In TO-254 And TO-258Isolated PackagesFEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And
om60n06sa.pdf

OM60N06SA OM60N05SA OM50N06STOM50N06SA OM50N05SA OM50N05STLOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETSIN HERMETIC ISOLATED PACKAGE50V And 60V Ultra Low RDS(on)Power MOSFETs In TO-257 And TO-254Isolated PackagesFEATURES Isolated Hermetic Metal Packages Ultra Low RDS(on) Low Conductive Loss/Low Gate Charge Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels Ce
Другие MOSFET... NX7002BK , NX7002BKM , NX7002BKMB , NX7002BKS , NX7002BKW , NX7002BKXB , OM6005SC , OM6027SC , 2SK3918 , OM6101ST , OM6104ST , OM6105SC , OM6106SC , P50B4EA , P50B6EA , P55NF06 , P5N50C .
History: IRFSL38N20D
History: IRFSL38N20D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971