PDM6T20V3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDM6T20V3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
Búsqueda de reemplazo de PDM6T20V3 MOSFET
PDM6T20V3 Datasheet (PDF)
pdm6t20v3.pdf

N-Channel and P-Channel MOSFET PDM6T20V3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF/ON CHARACTERISTICS Drain-Source Breakdown Voltage BV I =250A,V =0V 20 - V DSS D GSZero Gate Voltage Drain Current I V =20V,V =0V - - 1 A DSS DS GSV =0V,V =8V Gate-Body Leakage Current I DS GS - - 100 nA
Otros transistores... P50B6EA , P55NF06 , P5N50C , P9B40HP2 , PCP1302 , PCP1402 , PCP1403 , PCP1405 , IRF540 , PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , PDNM8TP20V7E , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL .
History: SPB16N50C3 | 2P7154VC
History: SPB16N50C3 | 2P7154VC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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