PDM6T20V3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDM6T20V3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6L

Аналог (замена) для PDM6T20V3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDM6T20V3 даташит

 ..1. Size:543K  potens
 pdm6t20v3.pdf pdf_icon

PDM6T20V3

N-Channel and P-Channel MOSFET PDM6T20V3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF/ON CHARACTERISTICS Drain-Source Breakdown Voltage BV I =250 A,V =0V 20 - V DSS D GS Zero Gate Voltage Drain Current I V =20V,V =0V - - 1 A DSS DS GS V =0V,V = 8V Gate-Body Leakage Current I DS GS - - 100 nA

Другие IGBT... P50B6EA, P55NF06, P5N50C, P9B40HP2, PCP1302, PCP1402, PCP1403, PCP1405, IRF540N, PDM6UT20V08E, PDNM6T20V7E, PDNM6UT20V05, PDNM8TP20V6E, PDNM8TP20V7E, PDPM6N20V3, PH1225AL, PH1330AL