Справочник MOSFET. PDM6T20V3

 

PDM6T20V3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDM6T20V3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PDM6T20V3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  potens
 pdm6t20v3.pdf pdf_icon

PDM6T20V3

N-Channel and P-Channel MOSFET PDM6T20V3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF/ON CHARACTERISTICS Drain-Source Breakdown Voltage BV I =250A,V =0V 20 - V DSS D GSZero Gate Voltage Drain Current I V =20V,V =0V - - 1 A DSS DS GSV =0V,V =8V Gate-Body Leakage Current I DS GS - - 100 nA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.