Справочник MOSFET. PDM6T20V3

 

PDM6T20V3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDM6T20V3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6L
 

 Аналог (замена) для PDM6T20V3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDM6T20V3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  potens
 pdm6t20v3.pdf pdf_icon

PDM6T20V3

N-Channel and P-Channel MOSFET PDM6T20V3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF/ON CHARACTERISTICS Drain-Source Breakdown Voltage BV I =250A,V =0V 20 - V DSS D GSZero Gate Voltage Drain Current I V =20V,V =0V - - 1 A DSS DS GSV =0V,V =8V Gate-Body Leakage Current I DS GS - - 100 nA

Другие MOSFET... P50B6EA , P55NF06 , P5N50C , P9B40HP2 , PCP1302 , PCP1402 , PCP1403 , PCP1405 , IRF540 , PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , PDNM8TP20V7E , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL .

History: SVS80R800FJHE3 | 2SK1330 | AO4807 | SVG103R0NKL | AP50T10GP | BSH111 | AOB125A60L

 

 
Back to Top

 


 
.