PDM6UT20V08E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDM6UT20V08E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

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PDM6UT20V08E Datasheet (PDF)

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pdm6ut20v08e.pdf

PDM6UT20V08E N-Channel and P-Channel,20V,Small signal MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. G2 S2D1 6 5 4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 0.3@ VGS=4.0V N-Channel 0.6 0.45@ VGS=2.5V 20 0.6@ VGS=1.8V 0.9@ VGS=-4.5V P-Channel 1.2@ VGS=-2.5V -0.8 -20 1.5@ VGS=-1.8V 2 31 S1 G1 D

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Liste

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