PDM6UT20V08E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDM6UT20V08E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для PDM6UT20V08E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDM6UT20V08E даташит

 ..1. Size:122K  prisemi
 pdm6ut20v08e.pdf pdf_icon

PDM6UT20V08E

PDM6UT20V08E N-Channel and P-Channel,20V,Small signal MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. G2 S2 D1 6 5 4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 0.3@ VGS=4.0V N-Channel 0.6 0.45@ VGS=2.5V 20 0.6@ VGS=1.8V 0.9@ VGS=-4.5V P-Channel 1.2@ VGS=-2.5V -0.8 -20 1.5@ VGS=-1.8V 2 3 1 S1 G1 D

Другие IGBT... P55NF06, P5N50C, P9B40HP2, PCP1302, PCP1402, PCP1403, PCP1405, PDM6T20V3, IRF540, PDNM6T20V7E, PDNM6UT20V05, PDNM8TP20V6E, PDNM8TP20V7E, PDPM6N20V3, PH1225AL, PH1330AL, PH16030L