Справочник MOSFET. PDM6UT20V08E

 

PDM6UT20V08E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDM6UT20V08E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для PDM6UT20V08E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDM6UT20V08E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  prisemi
 pdm6ut20v08e.pdf pdf_icon

PDM6UT20V08E

PDM6UT20V08E N-Channel and P-Channel,20V,Small signal MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. G2 S2D1 6 5 4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 0.3@ VGS=4.0V N-Channel 0.6 0.45@ VGS=2.5V 20 0.6@ VGS=1.8V 0.9@ VGS=-4.5V P-Channel 1.2@ VGS=-2.5V -0.8 -20 1.5@ VGS=-1.8V 2 31 S1 G1 D

Другие MOSFET... P55NF06 , P5N50C , P9B40HP2 , PCP1302 , PCP1402 , PCP1403 , PCP1405 , PDM6T20V3 , IRF540N , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , PDNM8TP20V7E , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL , PH16030L .

History: CEB12N65 | FQI5N40TU

 

 
Back to Top

 


 
.