Справочник MOSFET. PDM6UT20V08E

 

PDM6UT20V08E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PDM6UT20V08E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для PDM6UT20V08E

 

 

PDM6UT20V08E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  prisemi
 pdm6ut20v08e.pdf

PDM6UT20V08E PDM6UT20V08E

PDM6UT20V08E N-Channel and P-Channel,20V,Small signal MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. G2 S2D1 6 5 4 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 0.3@ VGS=4.0V N-Channel 0.6 0.45@ VGS=2.5V 20 0.6@ VGS=1.8V 0.9@ VGS=-4.5V P-Channel 1.2@ VGS=-2.5V -0.8 -20 1.5@ VGS=-1.8V 2 31 S1 G1 D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top