PDNM8TP20V7E Todos los transistores

 

PDNM8TP20V7E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDNM8TP20V7E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 448 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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PDNM8TP20V7E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  prisemi
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PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V7E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 16@ VGS=4.5V 7Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

 4.1. Size:123K  prisemi
 pdnm8tp20v6e.pdf pdf_icon

PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V6E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 19@ VGS=4.5V 6Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

Otros transistores... PCP1402 , PCP1403 , PCP1405 , PDM6T20V3 , PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , IRFP460 , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL , PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL .

History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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