PDNM8TP20V7E Todos los transistores

 

PDNM8TP20V7E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDNM8TP20V7E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 448 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

PDNM8TP20V7E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  prisemi
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PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V7E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 16@ VGS=4.5V 7Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

 4.1. Size:123K  prisemi
 pdnm8tp20v6e.pdf pdf_icon

PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V6E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 19@ VGS=4.5V 6Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: APM7313KC | SSG4394N | STH10NA50FI | HUF75623P3 | AON3806 | 2SK2993L | STS4DPF30L

 

 
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