Справочник MOSFET. PDNM8TP20V7E

 

PDNM8TP20V7E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PDNM8TP20V7E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 448 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для PDNM8TP20V7E

 

 

PDNM8TP20V7E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  prisemi
 pdnm8tp20v7e.pdf

PDNM8TP20V7E PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V7E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 16@ VGS=4.5V 7Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

 4.1. Size:123K  prisemi
 pdnm8tp20v6e.pdf

PDNM8TP20V7E PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V6E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 19@ VGS=4.5V 6Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top