PDNM8TP20V7E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDNM8TP20V7E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 448 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для PDNM8TP20V7E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDNM8TP20V7E даташит

 ..1. Size:122K  prisemi
 pdnm8tp20v7e.pdf pdf_icon

PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V7E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 20 16@ VGS=4.5V 7 Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2) D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

 4.1. Size:123K  prisemi
 pdnm8tp20v6e.pdf pdf_icon

PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V6E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 20 19@ VGS=4.5V 6 Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2) D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

Другие IGBT... PCP1402, PCP1403, PCP1405, PDM6T20V3, PDM6UT20V08E, PDNM6T20V7E, PDNM6UT20V05, PDNM8TP20V6E, IRF640, PDPM6N20V3, PH1225AL, PH1330AL, PH16030L, PH1730AL, PH1825AL, PH1875L, PH1930AL