Справочник MOSFET. PDNM8TP20V7E

 

PDNM8TP20V7E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDNM8TP20V7E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 448 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для PDNM8TP20V7E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDNM8TP20V7E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  prisemi
 pdnm8tp20v7e.pdf pdf_icon

PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V7E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 16@ VGS=4.5V 7Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

 4.1. Size:123K  prisemi
 pdnm8tp20v6e.pdf pdf_icon

PDNM8TP20V7E

PDNM8TP20V6E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 19@ VGS=4.5V 6Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

Другие MOSFET... PCP1402 , PCP1403 , PCP1405 , PDM6T20V3 , PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , IRFP460 , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL , PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL .

History: H7N1009MD90TZ | DMN66D0LDW | 4N70KL-TN3-R | SI1499DH | IPW60R199CP | AO4822A

 

 
Back to Top

 


 
.