PDPM6N20V3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDPM6N20V3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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PDPM6N20V3 datasheet

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PDPM6N20V3

PDPM6N20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) -20 110 @ VGS=-4.5V -3 Bottom View Internal structure 1 6 S1 D1 6 1 S1 D1 D1 2 5 G1 G2 5 G2 2 G1 D2 D2 3 4 S2 4 3

Otros transistores... PCP1403, PCP1405, PDM6T20V3, PDM6UT20V08E, PDNM6T20V7E, PDNM6UT20V05, PDNM8TP20V6E, PDNM8TP20V7E, IRF1404, PH1225AL, PH1330AL, PH16030L, PH1730AL, PH1825AL, PH1875L, PH1930AL, PH1955L