Справочник MOSFET. PDPM6N20V3

 

PDPM6N20V3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDPM6N20V3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для PDPM6N20V3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDPM6N20V3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  prisemi
 pdpm6n20v3.pdf pdf_icon

PDPM6N20V3

PDPM6N20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) -20 110 @ VGS=-4.5V -3Bottom View Internal structure 1 6 S1D16 1 S1D1D12 5 G1G25G2 2 G1D2D2 3 4 S24 3

Другие MOSFET... PCP1403 , PCP1405 , PDM6T20V3 , PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , PDNM8TP20V7E , IRF1404 , PH1225AL , PH1330AL , PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL , PH1955L .

History: IRF7478PBF-1 | AON6413 | PK5G6EA | FDS6680S | 2SK2807-01S | ZXM64N035L3 | STN4260

 

 
Back to Top

 


 
.