PDPM6N20V3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDPM6N20V3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для PDPM6N20V3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDPM6N20V3 даташит

 ..1. Size:154K  prisemi
 pdpm6n20v3.pdf pdf_icon

PDPM6N20V3

PDPM6N20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) -20 110 @ VGS=-4.5V -3 Bottom View Internal structure 1 6 S1 D1 6 1 S1 D1 D1 2 5 G1 G2 5 G2 2 G1 D2 D2 3 4 S2 4 3

Другие IGBT... PCP1403, PCP1405, PDM6T20V3, PDM6UT20V08E, PDNM6T20V7E, PDNM6UT20V05, PDNM8TP20V6E, PDNM8TP20V7E, IRF1404, PH1225AL, PH1330AL, PH16030L, PH1730AL, PH1825AL, PH1875L, PH1930AL, PH1955L