PDPM6N20V3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDPM6N20V3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2-6L
Аналог (замена) для PDPM6N20V3
PDPM6N20V3 Datasheet (PDF)
pdpm6n20v3.pdf

PDPM6N20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) -20 110 @ VGS=-4.5V -3Bottom View Internal structure 1 6 S1D16 1 S1D1D12 5 G1G25G2 2 G1D2D2 3 4 S24 3
Другие MOSFET... PCP1403 , PCP1405 , PDM6T20V3 , PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , PDNM8TP20V7E , IRF1404 , PH1225AL , PH1330AL , PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL , PH1955L .
History: PH1225AL | IXFN64N50PD3 | IRF7805PBF
History: PH1225AL | IXFN64N50PD3 | IRF7805PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581