PH16030L Todos los transistores

 

PH16030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH16030L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 41.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V

Corriente continua de drenaje (Id): 38 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 8.2 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0169 Ohm

Empaquetado / Estuche: LFPAK

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PH16030L Datasheet (PDF)

1.1. ph16030l.pdf Size:89K _update_mosfet

PH16030L
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PH16030L N-channel TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 24 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features Logic level threshold Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low gate charge. 1.3 Applications D

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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