PH16030L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH16030L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0169 Ohm
Paquete / Cubierta: LFPAK
Búsqueda de reemplazo de PH16030L MOSFET
Principales características: PH16030L
ph16030l.pdf
PH16030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 24 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low gate charge. 1.3 Applications D
Otros transistores... PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , PDNM8TP20V7E , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL , IRF640N , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL , PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL .
Liste
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