PH16030L Todos los transistores

 

PH16030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH16030L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0169 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH16030L Datasheet (PDF)

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PH16030L

PH16030LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 24 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low gate charge.1.3 Applications D

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History: DMG1023UV | ME70N03S-G | FA38SA50LCP | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02

 

 
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