Справочник MOSFET. PH16030L

 

PH16030L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH16030L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.6 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 38 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8.2 nC

Время нарастания (tr): 18 ns

Выходная емкость (Cd): 280 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0169 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH16030L

 

PH16030L Datasheet (PDF)

1.1. ph16030l.pdf Size:89K _update_mosfet

PH16030L PH16030L

PH16030L N-channel TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 24 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features Logic level threshold Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low gate charge. 1.3 Applications D

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

Back to Top