PH16030L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PH16030L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 38 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.2 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0169 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
PH16030L Datasheet (PDF)
1.1. ph16030l.pdf 
Size:89K _update_mosfet
PH16030L N-channel TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 24 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features Logic level threshold Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low gate charge. 1.3 Applications D
Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
