Справочник MOSFET. PH16030L

 

PH16030L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH16030L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0169 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH16030L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH16030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 ph16030l.pdf pdf_icon

PH16030L

PH16030LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 24 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low gate charge.1.3 Applications D

Другие MOSFET... PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E , PDNM8TP20V7E , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL , IRF630 , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL , PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL .

History: 3SK95 | IXTQ480P2 | IRF540FI | IXFT20N60Q | IRCP140 | CEU540N | BF512

 

 
Back to Top

 


 
.