Справочник MOSFET. PH16030L

 

PH16030L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH16030L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.6 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 38 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8.2 nC

Время нарастания (tr): 18 ns

Выходная емкость (Cd): 280 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0169 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH16030L

 

 

PH16030L Datasheet (PDF)

1.1. ph16030l.pdf Size:89K _update_mosfet

PH16030L
PH16030L

PH16030L N-channel TrenchMOS™ logic level FET Rev. 01 — 24 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology. 1.2 Features Logic level threshold Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low gate charge. 1.3 Applications D

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top