PH1930AL Todos los transistores

 

PH1930AL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH1930AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 857 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: LFPAK

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PH1930AL datasheet

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PH1930AL

PH1930AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 ..2. Size:235K  nxp
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PH1930AL

PH1930AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

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History: APT20M18LVFRG | IRFZ48ZS

 

 

 


 
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