PH1930AL Todos los transistores

 

PH1930AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH1930AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 97 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.15 V

Carga de compuerta (Qg): 64 nC

Tiempo de elevación (tr): 65 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 857 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.002 Ohm

Empaquetado / Estuche: LFPAK

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PH1930AL Datasheet (PDF)

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PH1930AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 — 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

1.2. ph1930al.pdf Size:235K _philips

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PH1930AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due to l

 

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