PH1930AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH1930AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 857 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH1930AL
PH1930AL Datasheet (PDF)
ph1930al.pdf
PH1930ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 12 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due
ph1930al.pdf
PH1930ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 12 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due
Другие MOSFET... PDNM8TP20V7E , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL , PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , IRFB4115 , PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L .
History: PH2525L
History: PH2525L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
Popular searches
2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392