PH1930AL - описание и поиск аналогов

 

PH1930AL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PH1930AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 857 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH1930AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH1930AL технические параметры

 ..1. Size:235K  philips
 ph1930al.pdf pdf_icon

PH1930AL

PH1930AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 ..2. Size:235K  nxp
 ph1930al.pdf pdf_icon

PH1930AL

PH1930AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

Другие MOSFET... PDNM8TP20V7E , PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL , PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , IRF3710 , PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L .

History: HSW8205

 

 
Back to Top

 


 
.