Справочник MOSFET. PH1930AL

 

PH1930AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH1930AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 97 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.15 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 64 nC

Время нарастания (tr): 65 ns

Выходная емкость (Cd): 857 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.002 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH1930AL

 

PH1930AL Datasheet (PDF)

1.1. ph1930al.pdf Size:235K _update_mosfet

PH1930AL PH1930AL

PH1930AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 — 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

1.2. ph1930al.pdf Size:235K _philips

PH1930AL PH1930AL

PH1930AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due to l

 

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .