PH1955L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH1955L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V
Corriente continua de drenaje (Id): 40 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Carga de compuerta (Qg): 18 nC
Tiempo de elevación (tr): 180 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 217 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0173 Ohm
Empaquetado / Estuche: LFPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PH1955L
PH1955L Datasheet (PDF)
1.1. ph1955l.pdf 
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PH1955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 — 25 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a
1.2. ph1955l.pdf Size:159K _philips
PH1955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 25 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and be
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