PH1955L Todos los transistores

 

PH1955L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH1955L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0173 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH1955L Datasheet (PDF)

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PH1955L

PH1955LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 25 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

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PH1955L

PH1955LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 25 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

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History: FDC637AN | IRF720 | IRF9333PBF | SSF2301A | SI4559EY | FDME910PZT

 

 
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