PH1955L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PH1955L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0173 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PH1955L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH1955L даташит

 ..1. Size:159K  philips
 ph1955l.pdf pdf_icon

PH1955L

PH1955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 25 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

 ..2. Size:159K  nxp
 ph1955l.pdf pdf_icon

PH1955L

PH1955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 25 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

Другие IGBT... PDPM6N20V3, PH1225AL, PH1330AL, PH16030L, PH1730AL, PH1825AL, PH1875L, PH1930AL, IRF3710, PH20100S, PH2525L, PH2530AL, PH2625L, PH3030AL, PH3230S, PH3330L, PH3430AL