Справочник MOSFET. PH1955L

 

PH1955L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH1955L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Время нарастания (tr): 180 ns

Выходная емкость (Cd): 217 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0173 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH1955L

 

 

PH1955L Datasheet (PDF)

1.1. ph1955l.pdf Size:159K _update_mosfet

PH1955L
PH1955L

PH1955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 — 25 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

1.2. ph1955l.pdf Size:159K _philips

PH1955L
PH1955L

PH1955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 25 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and be

 

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top