Справочник MOSFET. PH1955L

 

PH1955L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH1955L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Время нарастания (tr): 180 ns

Выходная емкость (Cd): 217 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0173 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH1955L

 

 

PH1955L Datasheet (PDF)

1.1. ph1955l.pdf Size:159K _update_mosfet

PH1955L
PH1955L

PH1955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 — 25 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

1.2. ph1955l.pdf Size:159K _philips

PH1955L
PH1955L

PH1955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 25 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and be

 

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top