Справочник MOSFET. PH1955L

 

PH1955L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH1955L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0173 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH1955L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH1955L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  philips
 ph1955l.pdf pdf_icon

PH1955L

PH1955LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 25 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

 ..2. Size:159K  nxp
 ph1955l.pdf pdf_icon

PH1955L

PH1955LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 25 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

Другие MOSFET... PDPM6N20V3 , PH1225AL , PH1330AL , PH16030L , PH1730AL , PH1825AL , PH1875L , PH1930AL , IRFB4227 , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , PH3430AL .

History: TMD4N60 | MDP1932TH | 2SJ438 | IRF5305S | QM06N65F | IRF3515S | SD214

 

 
Back to Top

 


 
.