PH20100S MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PH20100S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH20100S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: LFPAK

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PH20100S datasheet

..1. Size:175K philips
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PH20100S N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 2 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Feat

..2. Size:175K nxp
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TPH2010FNH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPH2010FNH TPH2010FNH TPH2010FNH TPH2010FNH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 2.6 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resista

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