Справочник MOSFET. PH20100S

 

PH20100S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH20100S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 39 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 290 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH20100S

 

 

PH20100S Datasheet (PDF)

1.1. ph20100s.pdf Size:175K _update_mosfet

PH20100S
PH20100S

PH20100S N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 — 2 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Feat

1.2. ph20100s.pdf Size:175K _philips

PH20100S
PH20100S

PH20100S N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 2 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

 4.1. tph2010fnh.pdf Size:232K _update_mosfet

PH20100S
PH20100S

TPH2010FNH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) TPH2010FNH TPH2010FNH TPH2010FNH TPH2010FNH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resista

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top