PH2525L Todos los transistores

 

PH2525L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH2525L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1070 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH2525L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  nxp
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PH2525L

PH2525LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 5 December 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losse

 9.1. Size:196K  philips
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PH2525L

PH2520UN-channel TrenchMOS ultra low level FETRev. 03 2 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionUltra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Featur

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History: RFG50N06 | IRFY540

 

 
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