PH2525L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PH2525L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1070 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH2525L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH2525L даташит

 ..1. Size:97K  nxp
 ph2525l.pdf pdf_icon

PH2525L

PH2525L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 5 December 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conduction converters losse

 9.1. Size:196K  philips
 ph2520u.pdf pdf_icon

PH2525L

PH2520U N-channel TrenchMOS ultra low level FET Rev. 03 2 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featur

Другие IGBT... PH1330AL, PH16030L, PH1730AL, PH1825AL, PH1875L, PH1930AL, PH1955L, PH20100S, IRFB4115, PH2530AL, PH2625L, PH3030AL, PH3230S, PH3330L, PH3430AL, PH3830L, PH3855L