PH2625L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH2625L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1137 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Encapsulados: LFPAK
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PH2625L datasheet
ph2625l.pdf
PH2625L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 24 February 2005 Preliminary data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conduction converters losses Low threshold voltage Low t
ph2625l.pdf
PH2625L N-channel 25 V 2.8 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 3 21 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOSTM technology 1.2 Features and benefits Low thermal resistance Optimized for use in DC-to-DC converters Low threshold
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