PH2625L Todos los transistores

 

PH2625L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH2625L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1137 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH2625L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  philips
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PH2625L

PH2625LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 24 February 2005 Preliminary data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losses Low threshold voltage Low t

 ..2. Size:213K  nxp
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PH2625L

PH2625LN-channel 25 V 2.8 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 3 21 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOSTM technology1.2 Features and benefits Low thermal resistance Optimized for use in DC-to-DC converters Low threshold

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