Справочник MOSFET. PH2625L

 

PH2625L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH2625L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32 nC

Время нарастания (tr): 52 ns

Выходная емкость (Cd): 1137 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0028 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH2625L

 

PH2625L Datasheet (PDF)

1.1. ph2625l.pdf Size:213K _update_mosfet

PH2625L
PH2625L

PH2625L N-channel 25 V 2.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK Rev. 3 — 21 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOSTM technology 1.2 Features and benefits  Low thermal resistance  Optimized for use in DC-to-DC converters  Low threshold

1.2. ph2625l.pdf Size:100K _philips

PH2625L
PH2625L

PH2625L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 24 February 2005 Preliminary data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conduction converters losses Low threshold voltage Low thermal re

 

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

Back to Top