Справочник MOSFET. PH2625L

 

PH2625L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH2625L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32 nC

Время нарастания (tr): 52 ns

Выходная емкость (Cd): 1137 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0028 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH2625L

 

 

PH2625L Datasheet (PDF)

1.1. ph2625l.pdf Size:213K _update_mosfet

PH2625L
PH2625L

PH2625L N-channel 25 V 2.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK Rev. 3 — 21 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOSTM technology 1.2 Features and benefits  Low thermal resistance  Optimized for use in DC-to-DC converters  Low threshold

1.2. ph2625l.pdf Size:100K _philips

PH2625L
PH2625L

PH2625L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 24 February 2005 Preliminary data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conduction converters losses Low threshold voltage Low thermal re

 

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top