PH3030AL Todos los transistores

 

PH3030AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH3030AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

PH3030AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  philips
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PH3030AL

PH3030ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 12 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due

 ..2. Size:235K  nxp
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PH3030AL

PH3030ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 12 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due

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History: NCE1810AK | KQS4900 | NTLJS4159NT1G | AOI5N40 | WFW40N25W | NCE3N170F | FDS6892A

 

 
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