PH3030AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH3030AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH3030AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH3030AL даташит

 ..1. Size:235K  philips
 ph3030al.pdf pdf_icon

PH3030AL

PH3030AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 ..2. Size:235K  nxp
 ph3030al.pdf pdf_icon

PH3030AL

PH3030AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

Другие IGBT... PH1825AL, PH1875L, PH1930AL, PH1955L, PH20100S, PH2525L, PH2530AL, PH2625L, 8205A, PH3230S, PH3330L, PH3430AL, PH3830L, PH3855L, PH4025L, PH4030AL, PH4330L