PH3230S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH3230S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 100 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Carga de compuerta (Qg): 42 nC
Tiempo de elevación (tr): 37 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1150 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0032 Ohm
Empaquetado / Estuche: LFPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PH3230S
PH3230S Datasheet (PDF)
1.1. ph3230s.pdf 
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PH3230S N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 04 — 27 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2. ph3230s.pdf Size:361K _philips
PH3230S N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 04 27 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F
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