PH3230S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH3230S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH3230S
PH3230S Datasheet (PDF)
ph3230s.pdf
PH3230SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 04 27 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
ph3230s.pdf
PH3230SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 04 27 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Другие MOSFET... PH1875L , PH1930AL , PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , AON7408 , PH3330L , PH3430AL , PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM042N10A | AGM03N85H | AGM038N10A | AGM035N10H | AGM035N10C | AGM035N10A | AGM028N08A | AGM025N13LL | AGM025N10C | AGM025N08H | AGM01T08LL | AGM01P15E | AGM01P15D | AGM01P15AP | AGM015N10LL | AGM30P85D
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852