Справочник MOSFET. PH3230S

 

PH3230S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH3230S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH3230S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH3230S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  philips
 ph3230s.pdf pdf_icon

PH3230S

PH3230SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 04 27 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

 ..2. Size:361K  nxp
 ph3230s.pdf pdf_icon

PH3230S

PH3230SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 04 27 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Другие MOSFET... PH1875L , PH1930AL , PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , STP75NF75 , PH3330L , PH3430AL , PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L .

History: BLF2425M7LS250P | 2N6661JAN | SW1N55D | PZC010BL | BSC042N03SG | KP809V1 | SUD08P06-155L-GE3

 

 
Back to Top

 


 
.