Справочник MOSFET. PH3230S

 

PH3230S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH3230S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 42 nC

Время нарастания (tr): 37 ns

Выходная емкость (Cd): 1150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH3230S

 

 

PH3230S Datasheet (PDF)

1.1. ph3230s.pdf Size:361K _update_mosfet

PH3230S PH3230S

PH3230S N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 04 — 27 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2. ph3230s.pdf Size:361K _philips

PH3230S PH3230S

PH3230S N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 04 27 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F

 

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top