PH3230S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH3230S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH3230S
PH3230S Datasheet (PDF)
ph3230s.pdf
PH3230SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 04 27 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
ph3230s.pdf
PH3230SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 04 27 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Другие MOSFET... PH1875L , PH1930AL , PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , AON7408 , PH3330L , PH3430AL , PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852