PH3330L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH3330L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 100 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.15 V
Carga de compuerta (Qg): 30.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 75 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 960 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0033 Ohm
Empaquetado / Estuche: LFPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PH3330L
PH3330L Datasheet (PDF)
1.1. ph3330l.pdf 
Size:194K _update_mosfet
PH3330L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 — 22 October 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features an
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
