PH3330L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH3330L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: LFPAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PH3330L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PH3330L datasheet

 ..1. Size:194K  nxp
 ph3330l.pdf pdf_icon

PH3330L

PH3330L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 22 October 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features an

Otros transistores... PH1930AL, PH1955L, PH20100S, PH2525L, PH2530AL, PH2625L, PH3030AL, PH3230S, IRF630, PH3430AL, PH3830L, PH3855L, PH4025L, PH4030AL, PH4330L, PH4530L, PH4830L