PH3330L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PH3330L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PH3330L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH3330L даташит

 ..1. Size:194K  nxp
 ph3330l.pdf pdf_icon

PH3330L

PH3330L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 22 October 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features an

Другие IGBT... PH1930AL, PH1955L, PH20100S, PH2525L, PH2530AL, PH2625L, PH3030AL, PH3230S, IRF630, PH3430AL, PH3830L, PH3855L, PH4025L, PH4030AL, PH4330L, PH4530L, PH4830L