PH3330L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH3330L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH3330L
PH3330L Datasheet (PDF)
ph3330l.pdf

PH3330LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 22 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an
Другие MOSFET... PH1930AL , PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , STP75NF75 , PH3430AL , PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140