PH3430AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH3430AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 532 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: LFPAK

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PH3430AL datasheet

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PH3430AL

PH3430AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 14 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 8.1. Size:36K  sanyo
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PH3430AL

Ordering number ENN8175 CPH3430 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH3430 Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID 2 A D

Otros transistores... PH1955L, PH20100S, PH2525L, PH2530AL, PH2625L, PH3030AL, PH3230S, PH3330L, IRFP250N, PH3830L, PH3855L, PH4025L, PH4030AL, PH4330L, PH4530L, PH4830L, PH4840S