PH3430AL Todos los transistores

 

PH3430AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH3430AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 74 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.15 V

Carga de compuerta (Qg): 19 nC

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 532 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0035 Ohm

Empaquetado / Estuche: LFPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PH3430AL

 

PH3430AL Datasheet (PDF)

1.1. ph3430al.pdf Size:236K _update_mosfet

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PH3430AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 — 14 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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