PH3430AL Todos los transistores

 

PH3430AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH3430AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 532 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH3430AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  nxp
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PH3430AL

PH3430ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 14 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due

 8.1. Size:36K  sanyo
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PH3430AL

Ordering number : ENN8175CPH3430N-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceCPH3430ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) ID 2 AD

Otros transistores... PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , 7N65 , PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S .

History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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