Справочник MOSFET. PH3430AL

 

PH3430AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH3430AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 532 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH3430AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH3430AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  nxp
 ph3430al.pdf pdf_icon

PH3430AL

PH3430ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 14 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due

 8.1. Size:36K  sanyo
 cph3430.pdf pdf_icon

PH3430AL

Ordering number : ENN8175CPH3430N-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceCPH3430ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) ID 2 AD

Другие MOSFET... PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , 7N65 , PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S .

History: NTMFS4C13N | DMTH6016LSD | SPD06N80C3 | AP60T06GJ-HF | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.