PH3430AL - описание и поиск аналогов

 

PH3430AL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PH3430AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 532 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH3430AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH3430AL технические параметры

 ..1. Size:236K  nxp
 ph3430al.pdf pdf_icon

PH3430AL

PH3430AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 14 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 8.1. Size:36K  sanyo
 cph3430.pdf pdf_icon

PH3430AL

Ordering number ENN8175 CPH3430 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH3430 Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID 2 A D

Другие MOSFET... PH1955L , PH20100S , PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , IRF630 , PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S .

 

 
Back to Top

 


 
.