Справочник MOSFET. PH3430AL

 

PH3430AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH3430AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.15 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 19 nC

Время нарастания (tr): 50 ns

Выходная емкость (Cd): 532 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH3430AL

 

 

PH3430AL Datasheet (PDF)

1.1. ph3430al.pdf Size:236K _update_mosfet

PH3430AL
PH3430AL

PH3430AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 — 14 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top