PH3830L Todos los transistores

 

PH3830L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH3830L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 98 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 33 nC

Tiempo de elevación (tr): 88 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1050 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0038 Ohm

Empaquetado / Estuche: LFPAK

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PH3830L Datasheet (PDF)

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PH3830L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 — 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

1.2. ph3830l.pdf Size:186K _philips

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PH3830L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and be

 

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