PH3830L Todos los transistores

 

PH3830L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH3830L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 98 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH3830L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  philips
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PH3830L

PH3830LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

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PH3830L

PH3830LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

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History: APT12067LLLG | RFP4N06L | STT3PF20V | 2SK523 | PMBFJ174 | AP02N60I | SI1551DL

 

 
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