PH3830L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH3830L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH3830L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH3830L даташит

 ..1. Size:186K  philips
 ph3830l.pdf pdf_icon

PH3830L

PH3830L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

 ..2. Size:186K  nxp
 ph3830l.pdf pdf_icon

PH3830L

PH3830L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

Другие IGBT... PH20100S, PH2525L, PH2530AL, PH2625L, PH3030AL, PH3230S, PH3330L, PH3430AL, IRF9540, PH3855L, PH4025L, PH4030AL, PH4330L, PH4530L, PH4830L, PH4840S, PH5030AL