Справочник MOSFET. PH3830L

 

PH3830L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PH3830L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 98 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 33 nC

Время нарастания (tr): 88 ns

Выходная емкость (Cd): 1050 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH3830L

 

PH3830L Datasheet (PDF)

1.1. ph3830l.pdf Size:186K _update_mosfet

PH3830L
PH3830L

PH3830L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 — 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

1.2. ph3830l.pdf Size:186K _philips

PH3830L
PH3830L

PH3830L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and be

 

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .