PH3855L Todos los transistores

 

PH3855L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH3855L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 93 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de PH3855L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PH3855L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  philips
 ph3855l.pdf pdf_icon

PH3855L

PH3855LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

 ..2. Size:184K  nxp
 ph3855l.pdf pdf_icon

PH3855L

PH3855LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

Otros transistores... PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , PH3430AL , PH3830L , 2N7000 , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S , PH5030AL , PH5330E .

History: SVS7N60FJD2 | R6024KNJ

 

 
Back to Top

 


 
.