Справочник MOSFET. PH3855L

 

PH3855L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH3855L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH3855L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH3855L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  philips
 ph3855l.pdf pdf_icon

PH3855L

PH3855LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

 ..2. Size:184K  nxp
 ph3855l.pdf pdf_icon

PH3855L

PH3855LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

Другие MOSFET... PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , PH3430AL , PH3830L , 2N7000 , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S , PH5030AL , PH5330E .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | SI1488DH | CHM5813ESQ2GP | RQ6E035AT

 

 
Back to Top

 


 
.