PH3855L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH3855L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH3855L
PH3855L Datasheet (PDF)
ph3855l.pdf
PH3855LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a
ph3855l.pdf
PH3855LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 24 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a
Другие MOSFET... PH2525L , PH2530AL , PH2625L , PH3030AL , PH3230S , PH3330L , PH3430AL , PH3830L , 2N7000 , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S , PH5030AL , PH5330E .
History: IXTA220N075T7 | AFN3016S | PSMN1R1-30PL
History: IXTA220N075T7 | AFN3016S | PSMN1R1-30PL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent