PH3855L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH3855L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH3855L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH3855L даташит

 ..1. Size:184K  philips
 ph3855l.pdf pdf_icon

PH3855L

PH3855L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 24 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

 ..2. Size:184K  nxp
 ph3855l.pdf pdf_icon

PH3855L

PH3855L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 24 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

Другие IGBT... PH2525L, PH2530AL, PH2625L, PH3030AL, PH3230S, PH3330L, PH3430AL, PH3830L, AON7408, PH4025L, PH4030AL, PH4330L, PH4530L, PH4830L, PH4840S, PH5030AL, PH5330E