PH4840S Todos los transistores

 

 

PH4840S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH4840S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 877 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH4840S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  philips
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PH4840S

PH4840SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 02 6 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance1.3 Applications DC-to-D

 ..2. Size:106K  nxp
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PH4840S

PH4840SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 02 6 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance1.3 Applications DC-to-D

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History: IRF1302S | KNP2910A | 5N50G-T2Q-T | SSF6010A | SSM9960GH | SQM110N08-05 | NCE85H21TC

 

 
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