PH4840S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH4840S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 877 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
Paquete / Cubierta: LFPAK
Búsqueda de reemplazo de PH4840S MOSFET
PH4840S Datasheet (PDF)
ph4840s.pdf

PH4840SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 02 6 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance1.3 Applications DC-to-D
ph4840s.pdf

PH4840SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 02 6 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance1.3 Applications DC-to-D
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History: STB11NK50ZT4 | IXTA12N65X2 | 8N60L-TA3-T | APQ50SN06AH | STP36NE06 | SIHFR9220 | STP3NA50
History: STB11NK50ZT4 | IXTA12N65X2 | 8N60L-TA3-T | APQ50SN06AH | STP36NE06 | SIHFR9220 | STP3NA50



Liste
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