PH4840S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH4840S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 877 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm

Encapsulados: LFPAK

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PH4840S datasheet

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PH4840S

PH4840S N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 6 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance 1.3 Applications DC-to-D

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PH4840S

PH4840S N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 6 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance 1.3 Applications DC-to-D

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