PH4840S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH4840S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 877 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH4840S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH4840S даташит

 ..1. Size:106K  philips
 ph4840s.pdf pdf_icon

PH4840S

PH4840S N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 6 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance 1.3 Applications DC-to-D

 ..2. Size:106K  nxp
 ph4840s.pdf pdf_icon

PH4840S

PH4840S N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 6 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance 1.3 Applications DC-to-D

Другие IGBT... PH3430AL, PH3830L, PH3855L, PH4025L, PH4030AL, PH4330L, PH4530L, PH4830L, IRLB4132, PH5030AL, PH5330E, PH5525L, PH6030AL, PH6030L, PH6325L, PH7030AL, PH7030L