PH4840S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH4840S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 877 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH4840S
PH4840S Datasheet (PDF)
ph4840s.pdf
PH4840SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 02 6 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance1.3 Applications DC-to-D
ph4840s.pdf
PH4840SN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 02 6 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Low threshold voltage Low on-state resistance1.3 Applications DC-to-D
Другие MOSFET... PH3430AL , PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , IRLB4132 , PH5030AL , PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L .
History: PH5525L
History: PH5525L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent




