PH5330E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH5330E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 732 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
Paquete / Cubierta: LFPAK
Búsqueda de reemplazo de PH5330E MOSFET
PH5330E Datasheet (PDF)
ph5330e.pdf

PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an
ph5330e.pdf

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Otros transistores... PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S , PH5030AL , SPP20N60C3 , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L , PH8230E .
History: FQD7P06TF | IRHF67230 | TF3423 | HMS7N65K | HM6803 | IRF7607 | SPA06N80C3
History: FQD7P06TF | IRHF67230 | TF3423 | HMS7N65K | HM6803 | IRF7607 | SPA06N80C3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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