PH5330E Todos los transistores

 

 

PH5330E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH5330E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 732 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH5330E Datasheet (PDF)

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PH5330E

PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an

 ..2. Size:205K  nxp
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PH5330E

PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an

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History: RFD16N06LESM

 

 
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