Справочник MOSFET. PH5330E

 

PH5330E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH5330E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 732 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH5330E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH5330E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  philips
 ph5330e.pdf pdf_icon

PH5330E

PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an

 ..2. Size:205K  nxp
 ph5330e.pdf pdf_icon

PH5330E

PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an

Другие MOSFET... PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S , PH5030AL , SPP20N60C3 , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L , PH8230E .

History: TPP60R350C | HGD046NE6A | BLP10N20J-P | IRF3704ZLPBF | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.