PH5330E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH5330E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 732 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH5330E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH5330E даташит

 ..1. Size:205K  philips
 ph5330e.pdf pdf_icon

PH5330E

PH5330E N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 19 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features an

 ..2. Size:205K  nxp
 ph5330e.pdf pdf_icon

PH5330E

PH5330E N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 19 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features an

Другие IGBT... PH3855L, PH4025L, PH4030AL, PH4330L, PH4530L, PH4830L, PH4840S, PH5030AL, K3569, PH5525L, PH6030AL, PH6030L, PH6325L, PH7030AL, PH7030L, PH8030L, PH8230E