Справочник MOSFET. PH5330E

 

PH5330E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH5330E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 732 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PH5330E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  philips
 ph5330e.pdf pdf_icon

PH5330E

PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an

 ..2. Size:205K  nxp
 ph5330e.pdf pdf_icon

PH5330E

PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HUFA76639S3S | HGD046NE6A | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | HP20N50

 

 
Back to Top

 


 
.