PH5330E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH5330E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 732 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH5330E
PH5330E Datasheet (PDF)
ph5330e.pdf
PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an
ph5330e.pdf
PH5330EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an
Другие MOSFET... PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S , PH5030AL , SPP20N60C3 , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L , PH8230E .
History: CEF80N15 | FQD7P06TF | CEP60N10
History: CEF80N15 | FQD7P06TF | CEP60N10
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet