PH6325L Todos los transistores

 

PH6325L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH6325L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 517 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH6325L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  philips
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PH6325L

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 ..2. Size:213K  nxp
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PH6325L

PH6325LN-channel 25 V 6.3 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 2 22 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology1.2 Features and benefits Low thermal resistance Optimized for use in DC-to-DC converters Low threshold voltag

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