PH6325L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PH6325L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 517 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
PH6325L Datasheet (PDF)
ph6325l.pdf
PH6325LN-channel TrenchMOS logic level FETM3D748 Rev. 01 28 April 2004 Preliminary data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losses Low threshold voltage Low thermal resistanc
ph6325l.pdf
PH6325LN-channel 25 V 6.3 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 2 22 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology1.2 Features and benefits Low thermal resistance Optimized for use in DC-to-DC converters Low threshold voltag
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918